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[发明专利]氮氧化硅绝缘结构及其制作方法-CN201310432056.X在审
发明人：江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种氮氧化硅绝缘结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供硅衬底，在所述硅衬底上形成二氧化硅层；在所述二氧化硅层与硅衬底的界面形成第一氮氧化硅层；在所述二氧化硅层上方表面形成第二氮氧化硅层，所述第二氮氧化硅层的氮浓度高于第一氮氧化物硅层的氮浓度；进行退火工艺，对所述第二氮氧化硅层进行稳定处理，所述第二氮氧化硅层、二氧化硅层和第一氮氧化硅层构成所述氮氧化硅绝缘结构。本发明的氮氧化硅绝缘结构能够在防止硼扩散的同时，防止载流子的隧穿效应。
氧化绝缘结构及其制作方法

[发明专利]氮氧化硅栅介质层的测量方法及半导体器件的制造方法-CN202210214057.6有效
发明人：王胜林;张志敏 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种氮氧化硅栅介质层的测量方法及半导体器件的制造方法，所述氮氧化硅栅介质层的测量方法包括：提供一衬底，衬底上形成有氮氧化硅栅介质层；获取氮氧化硅栅介质层的氮含量，并基于氮含量与氮氧化硅栅介质层厚度的补偿关系，得到有氮氧化硅栅介质层在氮含量下的补偿系数；利用氮氧化硅栅介质层的第一厚度及补偿系数及，获取氮氧化硅栅介质层的第二厚度，并以第二厚度作为氮氧化硅栅介质层的实际厚度。本发明中，通过氮含量与氮氧化硅栅介质层厚度的补偿关系，利用氮氧化硅栅介质层的氮含量获取其补偿系数，并结合其利用椭偏仪获得第一厚度，从而准确且及时获得氮氧化硅栅介质层的实际厚度。
氧化介质测量方法半导体器件制造方法

[发明专利]具有保护层的石英玻璃坩埚及其制造方法-CN200910158377.9无效
发明人：杨逸涵;潘敏学;邱恒德 -专利权人：合晶科技股份有限公司
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有保护层的石英玻璃坩埚的制造方法，其包括提供一石英玻璃坩埚本体；于该石英玻璃坩埚本体的内侧形成至少一第一氮氧化硅层；再于该第一氮氧化硅层上形成至少一第二氮氧化硅层；再于该第二氮氧化硅层上形成一氮化硅层，该第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层皆由二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅材料所组成，且该第二氮氧化硅层的氮化硅占第二氮氧化硅层的比例较第一氮氧化硅层的氮化硅占第一氮氧化硅层的比例多，该氮化硅层由氮化硅所组成本发明能避免氧原子渗入硅熔汤，且藉由调整氮化硅和/或二氧化硅的量而控制各层状结构的厚度，且能增加石英玻璃坩埚的使用寿命。
具有保护层石英玻璃坩埚及其制造方法

[发明专利]一种氮氧化硅栅氧化层制造方法-CN201010022720.X有效
发明人：高伟辉;陆肇勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提出一种MOS器件氮氧化硅栅氧化层制造方法，该方法包括：首先在提供的硅衬底上氮化形成氮氧化硅，然后热氧化形成氮氧化硅和硅衬底之间的第一氧化硅层和氮氧化硅上的第二氧化硅层，接着第二退火所述硅衬底之后，在第二氧化硅层上沉积多晶硅；刻蚀形成栅极和氮氧化硅栅氧化层。本发明在硅衬底和氮氧化硅之间引入氧化硅层，使氮氧化硅栅氧化层与硅衬底之间的悬挂键减少，从而降低氮氧化硅栅氧化层与衬底之间的界面态电荷密度，改善了MOS器件的某些特性，如提高了器件的阈值电压稳定性，降低了器件的热载流子效应及闪烁噪声等
一种氧化制造方法

[发明专利]一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法-CN201610272824.3有效
发明人：叶继春;曾俞衡;高平奇;韩灿;廖明墩;王丹;蔡亮 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述钝化隧穿层为氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层中的一种；所述氮氧化硅为掺杂氮的氧化硅或掺杂氧的氮化硅；所述氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层的氮浓度从远离硅片侧向硅片侧梯度降低。由于氮化硅和氮氧化硅的隧穿势垒较低，本发明钝化隧穿层可以在保证隧穿效率的前提下适当放宽钝化隧穿层的厚度，从而有利于减少钝化隧穿层孔洞，降低漏电流的发生和复合速度，拓宽工艺窗口和提高工艺稳定性。
一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法

[发明专利]SONOS中氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层的制造方法-CN200910057468.3无效
发明人：杨欣;孙勤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种SONOS中氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层的制造方法，第1步，在硅衬底上热氧化生长一层氧化硅，这层氧化硅为隧穿氧化层；第2步，在所述隧穿氧化层上淀积一层富硅氮化硅，所述富硅氮化硅的分子式为SixNy，其中x，y均为自然数，且x/y大于3/4；第3步，采用湿氧氧化工艺对所述富硅氮化硅进行氧化，所述富硅氮化硅变为氮氧化硅；第4步，在所述氮氧化硅上淀积一层氧化硅，这层氧化硅为阻挡氧化层；所述隧穿氧化层、氮氧化硅、阻挡氧化层构成了SONOS中的氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层。本发明可以较为精确地控制氮氧化硅中氧的掺杂量，有利于提高工艺稳定性，同时降低了杂质引入的风险。
sonos 氧化制造方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法-CN202110032273.4在审
发明人：胡俊;王二伟;赵健材;李君 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，浅沟槽隔离结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层；在氮氧化硅层上形成依次贯穿氮氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层和部分衬底的凹槽；向凹槽填充氧化硅以形成浅沟槽隔离；采用酸蚀剂将氮氧化硅层和氮化硅层去除，以露出氧化硅层。通过采用酸蚀剂同时将氮氧化硅层和氮化硅层去除，相对于现有的采用干法刻蚀去除氮氧化硅层的方案，一方面，减少了干法刻蚀以及湿法清洗的工序，从而降低了成本，另一方面，相对干法刻蚀，采用酸蚀剂的工艺成本较低，进一步降低了成本
沟槽隔离结构制作方法

[实用新型]一种太阳能电池正面减反膜及电池-CN202121124290.2有效
发明人：史元喆;杨二存;刘海泉;庞瑞卿;吕闯;赵小平;逯承承;时宝;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池正面减反膜，包括由下至上依次设置的第一氮化硅薄膜层、第二氮化硅薄膜层、氧化硅薄膜层、第一氮氧化硅薄膜层、第二氮氧化硅薄膜层，所述第一氮化硅薄膜层、第二氮化硅薄膜层、氧化硅薄膜层、第一氮氧化硅薄膜层、第二氮氧化硅薄膜层相连接，所述第一氮化硅薄膜层与硅片相连；所述第一氮化硅薄膜层的折射率＞所述第二氮化硅薄膜层的折射率＞所述第一氮氧化硅薄膜层的折射率＞所述第二氮氧化硅薄膜层的折射率
一种太阳能电池正面减反膜电池

[发明专利]一种氮氧化硅PERC电池背钝化结构、其制备方法及包括其的PERC电池-CN202110214534.4在审
发明人：任海亮;方超炎;何悦;任勇;陈德爽 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮氧化硅PERC电池背钝化结构、其制备方法及包括其的PERC电池，所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构包括由PERC电池的背面依次层叠设置的晶硅衬底、氮氧化硅层和氮化硅层。所述的制备方法包括：将放置有电池片的石英舟推入钝化炉内，对电池片进行笑气预处理，随后在电池片背面的晶硅衬底表面依次沉积氮氧化硅层和氮化硅层，得到所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构。本发明采用氮氧化硅层取代了传统的PERC电池背钝化结构中的氧化铝层，氮氧化硅薄膜内也含有大量氢原子，具备优良的钝化作用，同时氮氧化硅薄膜具有减反性能，从而降低了耗材成本，提高了工艺安全稳定性，同时也保证了较高的产线效率
一种氧化 perc 电池钝化结构制备方法包括

[发明专利]一种可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法-CN200710170745.2有效
发明人：蒋莉;黎铭琦;姜立维 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法，其制作在硅衬底上。现有技术在去除氮氧化硅前进行热处理致使氮氧化硅致密而无法彻底去除，从而影响有源区上的元件和半导体器件的性能。本发明的可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法先在该硅衬底上制作衬垫氧化层以及由氮氧化硅层和氮化硅层上下层叠而成的保护阻挡层；接着光刻并蚀刻出隔离沟槽；然后在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层；之后通过化学气相沉积填充该隔离沟槽；接着进行化学机械抛光工艺以去除氮氧化硅层而形成沟槽隔离结构，最后去除氮化硅层和衬垫氧化层。采用本发明的可避免氮氧化硅残留的沟槽隔离结构制作方法可避免氮氧化硅残留，从而大大提高半导体器件的性能。
一种避免氧化残留沟槽隔离结构制作方法

[发明专利]介电层的制造方法-CN02132362.3有效
发明人：巫勇贤;李政哲 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2002-09-24 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：一种介电层的制造方法，将一衬底置入一炉管中，并于衬底上形成一层氧化硅层，然后，进行回火工艺使氧化硅层变成一层氮氧化硅层。接着，于氮氧化硅层上形成一层氮化硅层。的后，于氮化硅层上形成一氧化硅层。而于衬底上形成氮氧化硅/氮化硅/氧化硅叠层介电层。其中，形成氮氧化硅/氮化硅/氧化硅叠层介电层的工艺都是在同一个炉管中进行，因此可以简化工艺。
介电层制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110775030.X在审
发明人：朱萌 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底；在基底上形成多晶硅层，多晶硅层背离基底的表面具有原生氧化层；氮化处理原生氧化层，以使原生氧化层氮化为氮氧化硅层本申请通过对原生氧化层进行氮化，将原生氧化层氮化为氮氧化硅层，由于氮氧化硅层的刻蚀速率小于原生氧化层刻蚀速率，在后续的刻蚀过程中，可以避免侧向刻蚀氮氧化硅层，保证氮氧化硅层上图形的完整性，进而保证了以图形化后的氮氧化硅层作为掩膜版
半导体结构及其制备方法

[发明专利]氮化硅蚀刻方法-CN202210029447.6有效
发明人：廖军;张志敏 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅蚀刻方法，包括：提供一衬底，衬底上具有氮化硅层；执行氧化工艺，在氮化硅层上形成氮氧化硅层；形成图形化的掩模层，图形化的掩模层覆盖氮氧化硅层；对氮氧化硅层及氮化硅层执行干法蚀刻工艺，并以标准蚀刻终点时间监控干法蚀刻工艺，其中，标准蚀刻终点时间利用氮化硅层的厚度、氮氧化硅层的厚度、氮化硅层的蚀刻速率以及氮氧化硅层的蚀刻速率建立。本发明中，利用氮氧化硅层覆盖氮化硅层以防止氮化硅层在重工工艺中氧化，使得经重工的衬底和未重工的衬底具有相同的结构，从而可以利用标准蚀刻终点时间对干法蚀刻工艺进行监控，以达到解决干法蚀刻机台因重工图形化的掩模层的衬底报警的问题
氮化蚀刻方法

[实用新型]一种超硬耐磨减反射膜结构-CN202020566981.7有效
发明人：王立新 -专利权人：普发玻璃（深圳）有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本实用新型涉及触摸屏盖板减反射膜技术领域，公开了一种超硬耐磨减反射膜结构，包括在基板上依次层叠的第一氮氧化硅层、氮化硅层及第二氮氧化硅层，所述第一氮氧化硅层的厚度为20～150nm，所述氮化硅层的厚度为20～150nm，所述第二氮氧化硅层的厚度为80～120nm。本实用新型的减反射膜通过采用三层折射率不同的氮氧化硅层及氮化硅层来实现减反射，结合氮氧化硅及氮化硅的高硬度特性，提高透光率的同时，大大增加了减反射膜的硬度，经久耐磨，使用寿命长。
一种耐磨减反射膜结构

[实用新型]一种氮氧化硅PERC电池背钝化结构及包括其的PERC电池-CN202120418223.5有效
发明人：任海亮;方超炎;何悦;任勇;陈德爽 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氮氧化硅PERC电池背钝化结构及包括其的PERC电池，所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构包括由PERC电池的背面依次层叠设置的晶硅衬底、氮氧化硅层和氮化硅层。所述的PERC电池包括P型硅基体，所述的P型硅基体的背面设置有所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构。本实用新型采用氮氧化硅层取代了传统的PERC电池背钝化结构中的氧化铝层，氮氧化硅薄膜内也含有大量氢原子，具备优良的钝化作用，同时氮氧化硅薄膜具有减反性能，从而降低了耗材成本，提高了工艺安全稳定性，同时也保证了较高的产线效率
一种氧化 perc 电池钝化结构包括

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